关于器件模型的问题
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有没有器件模型工程师来谈谈关于如何得到一个好的器件模型参数，不管是MOSFET还是TFT的。或者说如何验证一个模型好坏应该从哪些方面考虑呢?谢谢大神们了。
1 用最少的参数覆盖所有效应
2 所有特性曲线2阶连续
3 降低算式复杂度加快软件处理
以上是spice模型的标准
对于单个器件只要按照相应的spice模型建模，且仿真结果和测试结果相拟合即可，越相近越好就越能信任仿真结果。
你是要提取模型还是验证工艺?
谢谢您的答案，我也是从这些方面考虑的，只是不够全面。
模型现在有了，所以应该算是验证工艺吧
那看看你的模型曲线和实际测试曲线拟合的怎么样吧。
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