n阱工艺，每个pmos管采用单独的nwell，可以完全消除体效应？
录入：edatop.com 阅读：
n阱工艺，每个pmos管采用单独的nwell，可以完全消除体效应?这句话对吗?为什么?
可以，不过每个nwell都是一个hot well，需要注意latch up issue
hot well?能说的详细些吗，不太懂啊，还有就是需要怎么注意latch up呢?
“完全消除体效应”的定义是什么?
申明：网友回复良莠不齐，仅供参考。如需专业解答，请学习本站推出的微波射频专业培训课程。
上一篇：开关电容积分器 毛刺问题
下一篇：耗尽管有什么好处？
