版图多电源问题求助

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大神们好！小弟遇到多电源问题，在版图中使用深N阱隔离，但是加深N阱后后仿带隙基准起振，去掉就正常。我现在将深N阱包围的地方用PUSB2标识层换掉，LVS和后仿真正常。
请问大神们这样可不可以?我们用的是tsmc工艺！
非常感谢大家能帮帮我！

多电源也不需要用深NWELL隔离啊，只是不同组的“地”在做LVS时确实需要用PSUB2隔离以示区别，不同电源的PMOS管肯定不能放在同一个NWELL里面，这样是不需要DEEP-NWELL的。

用PSUB2隔离是一个表面的现象，不能够解决问题。后仿发现问题就要解决，看看有没有寄生效应的发生。否则芯片回来有问题就惨了

带隙起振，说明你放入深nwell以后对带隙输出端产生寄生电容。需要去耦，或者用buffer。

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