后仿真的问题
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chartered工艺，nplus_u电阻，做的带隙。drc，lvs没问题，后仿真，dc结果跟前仿真差距很大，怀疑是电阻有问题，可是提取rc的网表里电阻确实是20k与电路中一致，有人遇到过这个问题吗?
I do not have experience with the process you mentioned. But did you check you used pre-simulation model for schematic sim and pos-simulation model for extracted sim?
你好，我用的是smic0.18um的工艺，用的rhpro电阻和rnwsti电阻，做的基准电流源，也出现了这种问题，提出来的电阻和前仿时是一样的，但是后仿真时这个电阻乘以电流偏离电阻上的电压10倍左右啊，请问你是怎么解决的?谢谢！
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