关于MOSFET的一些问题
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1.MOSFET的一级SPICE模型中，Cox的值是已知的吗，如果是对于NFET PFET各为多少?
2.是只要SB之间的电压不为零就要考虑体效应吗?如果是的话，对于NFET,图中没有标出体端而S端电压不为零，此时用考虑体效应吗（NFET的衬底是默认接地的吗）?还有体效应是只有MOSFET工作在saturation region才有的吗?
本人初学，问题弱智，还望各位大虾不吝赐教！
Cox应该是要通过Tox算的
NFET不是默认衬底接地的，并且体效应没有特指工作在饱和区。
set a simple model and run .OP analysis over it.
Yeah, tox is included in SPICE level-1 model. It should be the same for both N and PMOS.
As a rule-of-thumb, tox is L/50.
tox is L/50,对90nm以下好像不适合
Since Tox equals L/50, can Cox be caculate from it? If then, what is the formula? And Thanks for your answer！
多谢楼上诸位的回答
多谢，能说下公式是什么吗
也就是说通常就是90nm了，还有就是90nm是指L还是别的什么东西?还有现在通常说的18nm是指什么的尺寸?多谢
一般的工艺都会给出TOX的用ε/tox就是cox了。
sb的电压只要不为零都需要考虑体效应。在一般的n井工艺中nmos都是的b端都是接地的。体效应只是对晶体管的阈值电压有影响，所以不管在什么区都需要考虑体效应。
PEFECT！ THANK U！
同意！
for 90nm Tox=3e-9
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