P+和有源区有什么不同

active和P+是两码事
MOSFET区的N+or P+就是active

小编，我觉得你不清楚CMOS工艺步骤啊.

    那画版图时DIFF和PPII会有一个大一个小啊。

不明白你说的什么，具体要去看design rule

    就是涉及到STI时有人说：没有有源区的地方就是STI，工艺层次中不是都有AA和NPII、PPII，我目的是不想让STI紧靠在P+这里，所以请教一下。

我还是从工艺步骤方面给你解释一下：
工艺上，先做有源区光刻，在做栅淀积，然后再做N+或P+掺杂。
之所以，N+（P+）面积要大于有源区，是为了完全覆盖栅漏，使其掺杂均匀。
假设N+（P+）小于有源区，源漏肯定有一部分没有掺杂上，寄生电阻就会大。由于源漏在W方向上减小，栅宽理论上会减小。
不知小编想问的是不是这个。

    是这个，受教，谢啦，

for mosfet, active region can define the W of the transistor,  and the L of the transistor is defined by gate length. P2.28 in Razavi's book should help you a better understanding.

不同工艺定义的名称还不一样

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