请教关于poly电阻的焦耳热效应
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请教关于poly电阻的焦耳热效应。drc文件里有说明电阻的焦耳热效应，通过电阻的电流有效值Irms，电阻宽度Wp，和升温dT之间有个表达式。通过计算可以得到一定的Irms和Wp情况下的dT。但是我有两点疑惑：
1.这个dT是在怎样的散热情况下测得的。因为发热量一定，但是如果散热条件不同，升温一定是不同的，但是好像文件中没有说明，所以很疑惑。
2.一般芯片中电阻的温度可以达到多少，我按dT=30度算是不是太保守了，是否可以达到dT=50?
谢谢大神解答！
1.这个dT是在怎样的散热情况下测得的。因为发热量一定，但是如果散热条件不同，升温一定是不同的，但是好像文件中没有说明，所以很疑惑。
2.一般芯片中电阻的温度可以达到多少，我按dT=30度算是不是太保守了，是否可以达到dT=50?
谢谢大神解答！
fab提供的drc里面的热效应应该是取自wafer在测试机台里的。 至于封装以后是否因为散热条件变化。 真不清楚， 可以跟fab和封装厂打听一下。
这个poly joule heating effect 跟你所说的芯片散热情况没太大联系。因为整个芯片发热肯定不是由poly电阻主导，design rule 里写的是相对于整个芯片的温度再加deltaT，就相当于环境温度40°，但有个电阻发热点，那再在环境温度上加。对于电阻周边的小环境其实是差不多的，下边是STI,SUB，上面是isolator和metal，所以各种case都差不多，就不用考虑了。芯片本身功耗高温度高，就保守点
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