关于MOS管Id-Vg曲线数据求助

小弟最近在做TFT的Id-Vg曲线测量，用作建模的基础数据。W/L=20/4
刚开始时做了Id-Vg和Id-Vd曲线的测量，但是在建模的时候发现两条曲线中得Id在相同Vg和Vd情况下无法对上。
现在怀疑，可能是量程设置不好，导致器件在第一次Id-Vg测量后已经发生一定损伤
（Vs=0V，Vg从-15到15，step=0.2V，Vd=0.1,0.5,2~18V，step=2V）
所以我们为了验证这个问题，我们对同一个器件，在Id-Vd测量以后，再作了一次相同的Id-Vg条件测量，发现两次测量的Id，差异可以达到50%！
Vd较小的时候，基本上两次测量的结果差别非常大，当Vd较大时，则在Vg>10V以上，Id较为吻合（5%误差以内），我不知道这种情况是否正常。我们测量的仪器是Agilent的。（测量误差应该不大吧）
所以想请教各位，这种情况如何解释?谢谢！

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