这四种MOS电容都会用在什么地方？
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下图中的四种电容都用在什么地方?
实际设计中我发现一部分人喜欢用第四种accumulation MOS cap作为补偿电容，为什么不用第二种
，这个电容有很明显的缺陷啊，就是电压小于零的时候电容会很小，那这样还能作为补偿电容使用吗?
单向 线性
如果用(b)的话，当gate端的电压接近vdd时，电容会减小，这样你在0~vdd区间的电容线性度不好。如果d，在0~vdd范围应该都是线性的。
我一直喜欢用b么
从仿真看，b d曲线在右半部基本一致，左半部b大致与右半部镜像，d如LZ的图
你是如何解决mos电容在两端电压大概等于零的时候电容很小的问题的呢
b的右半部不可能和d一直，在低压的时候电容要小很多很多，如果你仿真结果一直，那说明仿真有问题
第四种是MOSvar的惯用做法，高频特性好
解决不了......有这种情况时不适合用moscap
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