请教---估算与仿真的误差？
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0.工艺TSMC .18，M: PMOS W/L=2600/0.18，仿真软件HSPICE。
1. 理论估算公式：gm~sqrt(2*kp*（W/L）*ID)；
2. 把W/L ID(0.9mA) 和仿真得到的KP代入上式可得gm大约为18mS；
3. 可是从仿真得到的gm仅有12mS；
4. 为啥俩者差距如此巨大?那估算还有意义吗?非常困惑，希望大家多指点。
大家都在说手算是必须的，是自己调节电路的基础，但是我们手算的是一般只考虑一级模型或者二级模型，所以会存在一定的误差。自己手算的肯定会和计算机模拟的情况存在一定的误差。浅见
亚微米的工艺电流以及不是简单的平方关系了，吧L增加试试吧
L越低，偏差越大，推荐使用gm/Id来求解
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