求助耦合电容的问题
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各位大神，电容有栅接VDD，源漏衬底接VSS（nmos）的栅电容，也有栅浮空，源漏接VDD（nmos），衬底接VSS的阱电容。请问下这两种电容有什么区别，在使用上有什么区别?
栅浮空用法没见过，这个是PN结电容，是压变的，不知道是不是有特殊用法?
一个是由Cox决定，一个是由PN结电容决定
接栅极的比较多吧，p 型 varactor 电容。
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