关于VTH0的参数提取
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最近拿到一个新的工艺，用单管仿真提取一些模型参数
发现VTH0的提取值存在问题，请大家帮忙看看
提取方法：NMOS单管仿真
条件1：VBS=0；VDS=3；VGS=3V；
结果1：Ids=1.68mA
条件2：VBS=0；VDS=3；VGS=2.8；
结果2：Ids=1.52mA
用上述数据计算得到的VTH0竟然是个负数?！
发现VTH0的提取值存在问题，请大家帮忙看看
提取方法：NMOS单管仿真
条件1：VBS=0；VDS=3；VGS=3V；
结果1：Ids=1.68mA
条件2：VBS=0；VDS=3；VGS=2.8；
结果2：Ids=1.52mA
用上述数据计算得到的VTH0竟然是个负数?！
? 直接sweep bias，然后用hspice的syntax可以直接看。现在的vtho不是你能用简单公式算出来的（当然可以做估计）
不用复杂，Level-1即可
求指点
直接看spice model
仿真完直接看不就得了么?算什么?
用的什么工艺
申明：网友回复良莠不齐，仅供参考。如需专业解答，请学习本站推出的微波射频专业培训课程。
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