同一个process, Generic 和Low Leakage，工艺上差别在什么地方？
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同一个工艺节点的Generic工艺和Low Leakage工艺（比如90nm Generic vs 90nm Low Leakage），他们的Vth不同，漏电不同，工艺上差别在什么地方?
我是指foundary具体实现的时候哈，仅仅是离子注入多少的区别吗?如果是这样，那low leakage工艺跟Generic工艺的ss corner区别又在什么地方
Vth0要高不少，速度要低一些，栅氧要厚
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