csmc1um700v中LDMOS面积测量
录入：edatop.com 阅读：
请高手指点，我现在正使用1um700V工艺，用700v的LDMOS，不知道怎么算它的面积，这关系到ESD设计。希望高手指点
CSMC 700v 和TSMC 700 到底那邊 size 小?
同 Rds_on 下
多谢高手相助！
不需要做单独的ESD了，但是必须面积要达到设计文档要求！
这个管子不需要做ESD保护了吧?
固定Vds=0.1V，Vgs=XXV，Rdson=0.1V/Ids。
高手，能否具体讲下怎么搭建电路仿真Rdson.虽然看到了电气参数表，但是还是不太明白怎么仿真Rdson.
在描述工艺器件的electrical parameters文档中，记得好像是25ohm/mm^2的样子，Vds=0.1V，Vgs=5V。
8.2.4.5 700V ESD protection device
CSMC do not have additional ESD device for 700V protection. The self-protection of 700V
LDMOS is according to the device Ron (Width or Area). The HBM 2k test data is as below. The
700V device can be self-protection when its Ron is 34ohm or smaller.
Device Ron(ohm) Area(um^2) 2.5K HBM ESD（tested by a third part）
700V LDMOS 64 338x1357 Fail
700V LDMOS 34 513x2122 Pass
700V LDMOS 20 678x2122 Pass
700V LDMOS 13 1320x2122 Pass
Depletion NMOS W/L=970/20(um) 370x370 2K Pass
高手，请问这个参数在那个PDK文件内，能具体说哈吗，如何仿真Rdson。第一次接触这个工艺，忘不吝指教！
它不是提供了Rdson=XXohm/mm^2的参数么?按照条件，仿真Rdson，反推面积就可以了。
请高手指点，我现在正使用1um700V工艺，用700v的LDMOS，不知道怎么算它的面积，这关系到ESD设计。希望高手指点
CSMC 700v 和TSMC 700 到底那邊 size 小?
同 Rds_on 下
多谢高手相助！
不需要做单独的ESD了，但是必须面积要达到设计文档要求！
这个管子不需要做ESD保护了吧?
固定Vds=0.1V，Vgs=XXV，Rdson=0.1V/Ids。
高手，能否具体讲下怎么搭建电路仿真Rdson.虽然看到了电气参数表，但是还是不太明白怎么仿真Rdson.
在描述工艺器件的electrical parameters文档中，记得好像是25ohm/mm^2的样子，Vds=0.1V，Vgs=5V。
8.2.4.5 700V ESD protection device
CSMC do not have additional ESD device for 700V protection. The self-protection of 700V
LDMOS is according to the device Ron (Width or Area). The HBM 2k test data is as below. The
700V device can be self-protection when its Ron is 34ohm or smaller.
Device Ron(ohm) Area(um^2) 2.5K HBM ESD（tested by a third part）
700V LDMOS 64 338x1357 Fail
700V LDMOS 34 513x2122 Pass
700V LDMOS 20 678x2122 Pass
700V LDMOS 13 1320x2122 Pass
Depletion NMOS W/L=970/20(um) 370x370 2K Pass
高手，请问这个参数在那个PDK文件内，能具体说哈吗，如何仿真Rdson。第一次接触这个工艺，忘不吝指教！
申明：网友回复良莠不齐，仅供参考。如需专业解答，请学习本站推出的微波射频专业培训课程。
上一篇：请教Sigma-delta AD中输入信号幅度问题
下一篇：传输门导通电阻仿真
