试问公司笔试一道运放题

    BBBD

可否简单说明下 谢谢

第一题还要看ro1 ro2的比值和电路参数的变化幅度啊。

第一题 我觉得选A 增大论述如下
   

    典型情况下Av会变小

    你忽略了ro1，增大电流，ro1减小，两个电阻并联，阻抗小于其中的任何一个值，所以增大电流，第一级的输出阻抗减小。

   能否详细说明下 谢谢

是的 你说的没错 我搞错了 ro2也不一定是变大了的那应该怎样分析

    如果ro2>>ro1,阻抗取决于ro1，增大电流，增益下降，如果ro1>>ro2，阻抗取决于ro2，ro2~VeL/Id，我觉着不好说了

第一题出的有点问题。出题人不严谨。

这些问题的答案可以是多选，估计出题的人也没想那么多。

第8题为啥选B，我看着像选A.......在下菜鸟

第八题，W/L增加，第一输出极点减小，CL增大，第二输出极点减小。要看两者减小的幅度。如果CL减小很多，那么单极点系统就变成双极点系统（带宽内），相位就差。但是，其实主极点也在相应减小。难说！?

第八题, Increase (W1/L1) --> gm increase, And GBW=gm/Cc increase too. When CL is bigger, 2nd pole is lower. Therefore, phase margin is getting lower.

第一题：如果假设此放大器更关注噪声，为了Noise，输入管尺寸都是做的比镜子大的，假设L相同，Id也必然相同，则小尺寸PMOS必然比大尺寸NMOS的ro要大的多，因此提高镜子的L对第一级输出阻抗的提升意义不大，因为主要由输入管NMOS决定。然而Id的上升在优化了noise的同时必然损失了gain，这是不难理解的。所以B是最合理的答案。

   可能直观上大家更愿意通过沟道调制理解。但是很不幸的是，在short channel及以后，长度和输出AC阻抗之间的关系急剧减弱，还不如通过commen sense，也就是系统噪声的角度来看这个问题：
   如果不理解为何本级noise和本级gain trade off， 可以思考一下Friis方程。Ftot=F1 + F2-1/A1 + F3-1/A1A2 +... 如果随随便便本级的noise和gain都能同时增加，而且---！还只线性的烧功耗，带宽还变大！ 那就不需要那么多模拟工程师整天作死了。
Have fun 说的不一定对
Justin

    楼上搞射频的吧?

just。

   更准确点说，被射频搞。

   做射频经常用最小尺寸，但是做模拟一般都是3Lmin，这个时候再增加L应该意义不如从1Lmin到3Lmin那么显著了。想想也是，IC Design哪是这么简答几道题就可以考察的，此题纯属娱乐。

    做High Speed 也不定用最小尺寸。纯analog的一般L还是很大的，看情况需求，基本上都用IO device。

   第八题,不要考虑GM了吧,带宽也是变的,就从1/RC上考虑,M1W/L增加,第一级的ro是减小的,AvCc不变,主极点增大,CL增大,次级点减小,两极点靠近,PM变小

   哪个公司?

请问  增加(W/L)M1  ro1如何增加了?  ro1只与流过M1的电流和M1的L有关呀。

无语了！这家公司难道都在做判断题?设计一个运放就是尝试调调管子啊?哎，反向思维害死人啊

就第九题还可以，
其他都是垃圾题

第一题，A，Id增加，会增加gm,
L增加，则增加Ro
Gain正比于gm.Ro

第二题，B
BW正比于gm/Cc

第三题，B
次极点频率变低，带宽增加，PM减小

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