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栅电容大如何实现密勒补偿

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请问,做LDO由于栅极电压很大,如何实现密勒补偿,原理?当栅电容很大时密勒补偿没有效果?有什么改进措施吗,敢问大侠们!

就看你在整个负载范围的压差式多大了,多数电路使用没有问题的

你的压差很小?
调整设计参数,一般有个0.3~0.4V就基本够用
是在不行用耗尽型MOSCap

哦,这样阿   但是我的补偿效果不明显呢  两个极点都在较低频   尤其是输出极点  因为我要设计3A电流 Cout=20uf   相位裕度为几度  增大补偿电阻效果也没什么影响



    敢问大神QQ或者EMai,我把具体问题发邮件给你  麻烦您帮我看看呢

3A电流 Cout=20uf   一般的LDO 1A吧,但是你的负载电容不小了,应该有好的补偿作用!还有要引入ESR仿真
参数是有点……

申明:网友回复良莠不齐,仅供参考。如需专业解答,请学习本站推出的微波射频专业培训课程

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