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基于PSOI的高压LDMOS研究武汉大学》2012年博士论文
700V高压LDMOS器件瞬态失效机理研究
or
高压LDMOS器件ESD初始失效问题及其优化方向研究
OR700V VDMOS设计
杨东林,孙伟锋,刘侠
高压LDMOS器件的设计与应用
and基于STI工艺的高压LDMOS器件设计与优化
一般外推MOSFET 都是 600v 2a => 2n60
or 4A 4n60 ..
如果包在IC 內就很大嗎?
有些公司是 2 die chip 封一起得但是 . SFL678 這家說是中國第一家做出單芯片 pwm IC ..
一般來說分開使用 vmos/umos 電流都遠比 700v LDMOS 電流大很多, LDmos 要做到會多少 die area ?