sentaurus device中如何仿真snapback？

不需要加一些很特别的模型，加上有关载流子的Mobility，Recombination模型，Auger模型，Avalanche模型，BandBand模型，EffectiveIntrinsicDensity模型等等就够了，主要是在器件上加激励的时候注意用扫电流的方式，才能仿真出snap-back现象。
扫电压是仿不出snap-back的。看一下snap-back的曲线，从数学上是很容易理解为什么仿出不来的。

谢谢解答，另外请问您知道在进行MOS热仿真时，热电极如何设置吗（包括位置具体的值）?

   前辈，请问有没有sentaurus下的esd project能观摩学习一下呀?我现在是电子科大的一名学生，现在需要做esd的器件仿真。

    刘志伟老师的学生? 抱歉啊，我也只是读书的时候做了一点ESD，不过都是保密的工艺，恕不能提供。

   是的。前辈好睿智！

   (⊙o⊙)…  只不过是一次会议见过刘老师。 不过既然是他的学生，直接找他指导就好了啊，他经验应该很丰富~  其实作为新生不要怕，老师们其实喜欢直接跟他交流的学生，尤其是刘老师这样的年轻老师。

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