功率MOS在关断时的寄生电容
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功率MOS在关断时的电容该怎么考虑?比如Cgd Cgs?还有形成这两个电容的基理是怎么样的?是gate在D S上的交叠造成的吗?
还有没有Cds了?
还有没有Cds了?
坐等大神回复
Cgd Cdb等是结电容和薄栅氧形成的电容，S和D隔着距离较长的沟道
我百度了下，发现了这个
诸神可以凑合着看看
http://bbs.21dianyuan.com/47783.html
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