工艺选择问题

输入电压5V~24V，芯片内部有一个LDO，把电源电压降低到2.1V。现在用2.1V的电源，要做一个-3dB带宽要>=50MHz，DC GAIN=40dB左右的运放，用点几的BCD工艺可以实现?用MOS管还是BJT比较容易实现?

谢谢先！

dc gain>40dB, -3dB bandwidth>50MHz ---> unit gain bandwidth>5GHz
要找一个这样的工艺估计够呛吧
关键是5V~24V，还是要高压工艺才能tolerate，或者是1um，2um的工艺

0.25的bcd试试?
5v的输入，为啥LDO一定要降到2.1?提高的3.3可能会容易些。

确定-3dB为50MHz，有点搞笑把。

    我去。我居然没仔细看。小编要5G的GBW想干嘛?

    26MHz的频率点直流增益不能变化，考虑工艺的偏差，那我的-3dB带宽应该放在哪个频率点上面?

     嗯，所以我考虑有没有这样的工艺，如果不行的话，我就只能改参数了，先上来咨询下高人。不行的话我只能把直流增益给降低了。20dB的话，GBW=500MHz，有可能么?

    参数随着工艺会变化的，工艺不行的话，那就只能改参数嘛。5GHz好像是太大了点。

    你做的是什么?总线接口电路?

    26M的微弱信号放大器，增益太小的后级不好处理啊。

    我想做个GBW 300MHz 60dB，闭环放大10倍两级级联，也比你那个5G GBW的靠谱一点。何况你干嘛要用开环增益，随工艺漂移那么大，对微弱信号检测不是影响很大么?

    这东西肯定是闭环，多级。

关键看你具体应用是什么?你需要40dB gain，26MHz内flatten?
如果不是有闭环应用的要求，那么做多级放大器级联可以满足你的要求
反正是需要具体问题具体分析，不要定一个不靠谱的spec即可

    我也想说这两个词，闭环，多级。

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