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有关CMOS仿真

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请问一下：
在做仿真的时候，利用离子注入的方式做一个N-well，能量为360Kev，得到的N-well的深度，大约为0.9μm。
而我在看papers的时候，看到对于普通的CMOS工艺，N-well大约为4μm，高压CMOS为7μm。
能帮忙解释一下吗?谢谢

有人知道吗?

申明：网友回复良莠不齐，仅供参考。如需专业解答，请学习本站推出的微波射频专业培训课程。

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