仿真遇到问题了，SOS！
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本人用Hspice仿真一电路： PMOS管，栅极V=5V,源级V=0V，衬底V=5V,漏极电压为输出,并外接一电容，电压初始电压为0；
仿真结果却让我感到不解：
漏极电压V后来升到2.5V,这是为什么?
下图是我的仿真结果图，黄色线为漏极输出电压：
附上我的Hspice程序：
*Test Circuit*
.option post=2
vdd vdd 0 dc 5v
vin in 0 dc 0v
mp1 out vdd in vdd pch l=1u w=16u
cload out 0 1p ic=0v
.model pch pmos level=13
.tran 200m 10 uic
.probe v(out)
.end
求高人指点，已经对这个问题想了一两天了！
其实我是想仿真这个传输门：
当C=VDD,C反=0时，传输门导通，这时工作正常；
但是当C=0,C反=VDD时，传输门应该截止啊，但是有1点多的输出电压！
于是我就觉得问题出在上面的PMOS管上，单独对PMOS管进行仿真，发现情况果然和我想的不一样！
请问各位，如何解决这个问题啊?
仿真结果却让我感到不解：
漏极电压V后来升到2.5V,这是为什么?
下图是我的仿真结果图，黄色线为漏极输出电压：
附上我的Hspice程序：
*Test Circuit*
.option post=2
vdd vdd 0 dc 5v
vin in 0 dc 0v
mp1 out vdd in vdd pch l=1u w=16u
cload out 0 1p ic=0v
.model pch pmos level=13
.tran 200m 10 uic
.probe v(out)
.end
求高人指点，已经对这个问题想了一两天了！
难道通过寄生二极管漏电导致?
应该是电容分压，第一个串联电容的一个极是pmos的栅和衬底，另一极是漏端；第二个串联电容是外部负载电容。
其实我是想仿真这个传输门：
当C=VDD,C反=0时，传输门导通，这时工作正常；
但是当C=0,C反=VDD时，传输门应该截止啊，但是有1点多的输出电压！
于是我就觉得问题出在上面的PMOS管上，单独对PMOS管进行仿真，发现情况果然和我想的不一样！
请问各位，如何解决这个问题啊?
谢谢你的回复，请问你有什么解决的建议吗?
你仿真传输门时初始条件设没?有可能是因为初始条件的原因。我在仿真D触发器时就遇到过初始值为0.9V的情况
同意电容分压，应该是Vgd吧，Vgb是给短路的。
与电容分压没有关系，这是一个dc就能仿真的特性。前面kxjxxfei的说法应该是正确的，二极管漏电流造成的。
电容初始值设为0了呀，还需要设置其他的吗
你仿真的D触发器用到传输门没有?
申明：网友回复良莠不齐，仅供参考。如需专业解答，请学习本站推出的微波射频专业培训课程。
