首页 > 微波/射频 > RFIC设计学习交流 > 请教关于NMOS管衬底电压高于源电压时该如何分析的问题

请教关于NMOS管衬底电压高于源电压时该如何分析的问题

录入:edatop.com    阅读:



上面的图里,在Vx从0逐渐变大的过程中,当Vx小于1V时可以用体效应公式来求阈值电压,进而求Ix,这些没问题。但是当Vx大于1V之后,体效应公式还适用吗?这个时候源极二极管正偏,MOS管还能正常工作吗?如果Vx继续增大甚至大于漏极电压和栅极电压呢?

申明:网友回复良莠不齐,仅供参考。如需专业解答,请学习本站推出的微波射频专业培训课程

上一篇:ic610导入gds文件相关
下一篇:关于摆率SR的问题

射频和天线工程师培训课程详情>>

  网站地图