问下MOS器件栅极为什么用多晶硅而不直接用金属呢
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问下MOS器件栅极为什么用多晶硅而不直接用金属呢
工艺上更容易实现、
自对准工艺，要求的温度金属达不到。
45nm以下是金属栅
《微电子概论》关于硅栅MOS结构和自对准技术的描述
谢谢大家 我学到了
学习了，查了下资料：多晶硅可以安全的受住退火源/漏注入需要的高温，所以它可以作为自对准生成源极和漏极的掩膜
好东西啊
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