首页 > 微波/射频 > RFIC设计学习交流 > TSMC 0.35um cmos工艺中的pnp是纵向的还是横向的,集电极可以不接地吗?

TSMC 0.35um cmos工艺中的pnp是纵向的还是横向的,集电极可以不接地吗?

录入:edatop.com    阅读:

TSMC 0.35um cmos工艺中的pnp是纵向的还是横向的,集电极可以不接地吗?

啦啦啦啦


    应该是纵向的,如果是n阱工艺的话,只能做寄生的pnp管,并且衬底作为集电极,衬底是接地的。



   N阱工艺不能做横向pnp吗?

没有埋层就不行。

一般N阱COMS工艺是p型衬底 衬底默认接GND! 若要接其他电位需要增加埋层,具体要看工艺有些工艺没有!

谢谢你们!

纵向。

申明:网友回复良莠不齐,仅供参考。如需专业解答,请学习本站推出的微波射频专业培训课程

上一篇:求助:spectre 仿真时碰到的问题
下一篇:请问:MIM电容下为什么不允许放MOS管?

射频和天线工程师培训课程详情>>

  网站地图