最近貌似论坛讨论不是很热烈，我来提点新鲜的话题。

不明觉厉

    强烈要求前辈参与讨论。扯扯蛋也行啊

好像0.13以下都不是BSIM了吧?应该是PSP，纯属猜想，求验证

0.13 以下是 bsim 4

    哦哦，是的，我弱爆了。多谢告知。

BSIM V4.6

继续……

话说Fin-FET的栅立起来了，计算w的话还得加上两侧栅的高度，而电场也是立体了，这些和目前设计用的的W/L思路不一致，会不会有新的设计方法或者理论出来呢?

估计用gm/ID方法还是可以的

只需要设计时用有效W （与物理W对应关系不再相同），其它思路应该差别不太大，模型具体参数与平面器件差别可能比较大，很多效应强弱关系不再相同。有效沟道宽度让Pcell去转换就是了。

其实就画版图的人辛苦。

    听前辈这么一说，貌似还是挺容易的样子?

    看到新思开始开发支持Fin-FET的EDA软件了，会不会到时候直接根据电路生成几个单元（类似黑盒），然后画版图就是在外头连连线?

v不明觉厉啊~

   大哥一起来扯扯蛋嘛~

    大哥就不瞎参合啦~你自己走路，把步伐迈大点，就可以实现了。

   独扯扯不如众扯扯~反正是无关紧要的瞎扯，论坛嘛，搞那么严肃干嘛?

原来w的调节的step是近似连续的
现在w的调节step是离散的
现在的device model与传统model已经相去甚远了
其实从28演进到16估计没有想象中那么麻烦
当然还没有玩过16ff工艺，纯属个人猜的

   没关系，开这个话题就是让大家随便猜，说不定有猜中的。

申明：网友回复良莠不齐，仅供参考。如需专业解答，请学习本站推出的微波射频专业培训课程。