请问bipolar工艺中npn可以用小至1uA的集电极电流吗？

没这么试过，不过提醒一下beta是随电流变化的，1uA的Ic电流Beta应该到不了100。仅供参考。

看工艺了！有的工艺漏电都有1nA以上了

取决于工艺和版图。

for real chip ..
hi-V mos current mirror => < 1ua
=> real chip fail
Low volt 5v mos  current mirror => < 1ua  =>  
simulation OK , but mass production have yield loss .
and some low current bandgap design ..看過 1ua   M=48 .
每個都很小,
but 那是 CMOS  BCD PROCESS   parastic  bjt 當 diode , Ib 不太在意..
純 bipolar process  Vce leakage 很多是  x1 => 1ua  ..
以前碰過  leakage > 5ua , 誤動作..

主要取决于工艺

可靠，取决于工艺

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