关于 smic 0.18um deep nwell 问题
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貌似在MS和EE里面的DNW是不同的，在MS里面是埋层，而在EE里面纯粹就是一个deeper nwell，无法隔离衬底，做出独立的p阱。请问是不是这样，EE里面能否做出埋层式的DNW（似乎不行，EE库里面只有PNP没有NPN，没有埋层式DNW应该做不了NPN）。我是想要用来消除偏衬，隔离干扰。
据我所知，EE中做不了NPN，我只在SMIC的flash工艺中看到过NPN。
那就是没搞头了，另想法子了。
MS ? EE ? 是什么意思?
没有搞头啊！
学习下，学习。
这里面对SMIC EE工艺中的DNW分析确实正确，想用DNW做噪声隔离的要另想办法。
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