为什么smic65nm和55nm的工艺中只有mom电容没有mim电容？

为什么smic65nm和55nm的工艺中只有mom电容没有mim电容呢?0.13um的工艺中mim电容和mom电容都有。mim电容应该就是在TM和TM-1之间加上一层insulator吧，这个在65nm和55nm的工艺中实现很难吗?

顺便问一下mim电容和mom电容哪种的精度和匹配性要好一些?

mim太土了，就连老的工艺smic .13原来只有mim，现在都有mom了
mom匹配又好，density又高，更重要的是它还免费，岂有不用它的道理。

mom 的精度很高吗? 匹配好是可能的

精度高和匹配好不是一回事么?

到底是精度高还是匹配好啊...

精度2个差不多，匹配mom好

是不是因为mom不用加一层insulator，就省了一层mask，成本降低了?

mom cap对地有很大的电容，不过面积小，而且精度高；mim cap对地电容小，但是面积大，精度低

    mom免费，这个请详细讲讲

   为啥免费...

mim比mom多Mask

据我了解momcap的电容密度没有mim的大吧，而且mim cap的寄生电容会小

   是的，而且根据文档，没觉得mom比mim匹配好啊。

什么是MIM和MOM，请教一下小编！

到底是mim的匹配好还是mom的匹配好啊，怎么大家说的都不一样...
还有匹配性和精度是一回事吗?

謝謝樓主提供這個問題~

mom匹配更好，而且不需要额外的mask；到65,40后单位密度更高。

mom匹配好，不需要MIM那层mask，电容两头差异小，可以说无正负极之分

   能发我一份SMIC的工艺文件吗

mom是侧壁电容，你可以认为是相邻的两个metal line之间的insulator做介质的电容，这个距离，就是两根metal line的距离，layout很容易调节的，工艺实现不用额外的；
MIM需要额外的一层mask。

学习学习

感谢您的回答，我也是这么做的，可是run lvs就是提示cells not be identified，Nothing in layout！
我是这么设置的首先我在TF中定义了5层layer DUM，DUM1~DUM4。在LVS中添加对应的layer MAP，我想做m1和m1间的插值电容MCAPX1，上极板MTP1使用DUM1和M1识别，下级板MTN1使用DUM和M1识别，电容识别layer MTL：DUM1 AND DUM; m1m2叠加在一起与m1m2叠加在一起间的电容MCAPX102，上级MTP102：DUM1，DUM2和M1，M2 ，下级MTN102：M1 M2 DUM，简单编写如下：

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