关于BJT的击穿电压的问题
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我在用IBM BIMCMOS013工艺，datasheet中说BJT的BVCEO（b极开路时，CE击穿电压）=3.55V，但是同时也说击穿电压并不固定，且取决于偏置，如下图。
然后我对这个BJT进行DC扫描时发现，在Ib很低时，IV曲线确实在3.55V就往上拐了，表示击穿了。但是在Ib较高时，击穿电压会更大。这就是说当Ib比较高时，就可以有更高的CE击穿电压?
另外，CE极瞬时电压可以高于CE击穿电压工作吗（直流电压小于击穿电压）?
然后我对这个BJT进行DC扫描时发现，在Ib很低时，IV曲线确实在3.55V就往上拐了，表示击穿了。但是在Ib较高时，击穿电压会更大。这就是说当Ib比较高时，就可以有更高的CE击穿电压?
另外，CE极瞬时电压可以高于CE击穿电压工作吗（直流电压小于击穿电压）?
BJT“击穿”后的MODEL准吗?
CE击穿电压和基极偏置电阻值有很大关系，基极开路时VCE不能超过VCEO，基极阻抗降低时该电压值可以增高。
如果这个管子恰好是cascode管的共基极管，当基极偏置电阻较低时，VCE最高可以接近BVCBO
当基极偏置电阻较低时，VCE最高可以接近BVCES
谢谢！我懂了！
谢谢！明白了！
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