多晶硅电阻的第三端（衬底），该接VDD还是GND啊？

看版图电阻外圈是p+ imp还是n+ imp?

poly电阻要考虑衬底?。
你是做多大速率的电路，要把电阻网络和衬底之间的耦合电容要考虑进去?

普通的标准CMOS 0.5um工艺

一般默认接独立干净的高电位

    没有特殊要求就不用考虑了。仿真起来影响也不大。

要噪声隔离的话，包nwell接gnd，
没有特殊要求的话，直接放substrate上接gnd

    你说的是版图上的。小编还在搭电路。

那就是寄生的cap了对谁的问题了，

问题解决了，谢谢大家

一般，信号参考VDD就结VDD，信号对地就接地。如果要求不高，就随便接。

你的解释正确

我的天，这就解决了?没有人仿真过?就tsmcN28工艺而言，n掺和p掺的电阻接不同电位阻值的影响在40%左右。

   我最近在做带隙基准，电路仿真时候，电阻的点三端悬空，可以得出很理想的温度系数，当有链接时候，相差太多！需要修改吗?版图第三端需要链接吗?心好累啊

    你用的什么电阻?

   P+diff，我想了一下，画版图时候点三端就是衬底，电路图可以悬空

我想问一下多晶硅是可以作为电阻的，吗、那么不同掺杂对其阻值会有影响吗?N掺杂和P掺杂对阻值的影响的原理是什么?是由于其内部的载流子不同吗?

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