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平面磁集成EMI滤波器的等效并联电容分析
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4 仿真验证
为了验证插入导电层是否能改善滤波器的高频性能，同时为了验证Ce与Cg的关系，可寻找理想的嵌入导电层长Xo之后以X为变量，得出的仿真结果如图19所示，然后再建立差模与共模仿真电路，并根据表1改变电容值Ce与Cg，所得出的差模插入损耗仿真结果如图20所示，而其共模插入损耗仿真结果如图21所示，图22为其共模插入损耗的仿真电路。
根据仿真结果可以看出，随着X不断增大，谐振点频率不断增大，在X=24.89 mm时，差模插入损耗表示出理想的状态。这时恰好Cg=4Ce。
5 结束语
仿真结果表明，嵌入导电层的滤波器可以去除EPC的影响，而且高频性能良好。滤波器的插入损耗在30 MHz以上都能达到-60 dB，并且有进一步减小的趋势。
来源：维库开发网
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