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徐老师,请教您关于您书上混频器的讲解

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图上是您设计的镜像抑制混频器,讲解的十分的通俗易懂,我想着仿照书上所讲的制作一个混频器。
我想制作的这个混频器主要是把2.4G左右的信号奖品到中频,首先对2.4G的射频信号存在疑惑,
问题一,常见的2.4G信号,它的中频频率是多少? 我在网上搜索了一下,并没有搜索到。
问题二,我打算制作的混频器射频信号的频率2.45G,本振频率2.4,这样我便能用示波器观测到中频带宽50M的信号。
但是,如果我用该混频器射频信号接入2.48G或者2.43G,该变频器是否还能有效的将2.48G或者2.43G变频到中频,据我猜测是可以的,但是会影响该变频器的增益,是这样么?
问题三,  ROGERS的板材是比较贵的,所以我想用fr-4的板材来设计混频器。但是对下图中的MUSB中的参数不是很清楚。


H = 板材的厚度                这个我打算换成fr-4   1mm
Er  = 板材的介电常数       这个我打算换成4.2
Mur = 1                            这个参数不清楚什么意思?
cond=1.0E+50                这个参数不清楚什么意思?
Hu = 1.0e+0.33              这个参数不清楚什么意思?
T                                     铜厚度,这个清楚
TanD= 0.0037                这个是铜箔上下厚度不一形成的的角度么?
以上是我的问题,麻烦看到后给解答下,非常感谢。


1.目前很多2.4G都是零中频方案,本振=外来频率
2.对的
3.频率很近,影响不大
4.可以
5.书的前面章节有对这个几个参数介绍,MUR磁导率=1 cond电导率 TanD=0.02是FR4损耗正切

谢谢,徐老师。对于书籍我暂时没有完全读一遍,后面会补上。
在用fr-4的设计中,mur cond hu这三个参数是否不变,但是需要将Tand改为0.02?


已经在书中找到了这些参数,我想这些参数我应该和PCB厂家沟通下,向他们索要这些参数吧。?

对于基板高度H,我很疑惑的是,双层版与多层板对混频器有影响么,徐老师?

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