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如果通过测到的s参数 反推出介电常数?
好难...似乎介电常数不一样也可以有近似的s参数的。
赞同楼上说法,一样的阻抗可以有不同的结构,不同的介电常数可以实现一样的阻抗;不过,小编可以测S参数,那你有没有PCB结构,固定的结构就可以根据阻抗推算节点常数,仅供参考
通过S参数的相位延时,可以计算介电常数。Keysight不是有专门的计算方法吗?需要购买。
应该是通过相位来求的
这个很有意思,很好奇怎么算的.
我有一个疑问就是,单纯的S参数为矩阵形式,没有任何结构参数如何得到介电常数。
我是没用过这个工具啦,但我猜肯定是需要定义结构参数的,不然没法反推介电常数.
一个S参数算不了,需要一个板上两个不同长度的传输线的两个S参数可以计算,以及长度差(当然这两条线的物理结构测试环境都要相同,不需要知道具体的线宽、铜厚这些信息);两个S参数可以得到相位差,就可以换算得到介电常数啊。
你说两个不同长度相同结构的可以算那我觉得可行,因为相当于多了一组方程式,可以推导出来。
另一根线的长度不能为0?
上面有人提到用测试的时延来推导常数,其实这个办法本身就存在很多的限制,其中最直接的一个问题就是你如何得到一个比较线性的相位值。很多因素都会造成插损的相位失真,一个回损过大就可能插损的相位的扭曲,而且要记住这个是用两段不同长度的传输线相减是不可能消除的。
虽然S参数里的某些参数虽然可以相加减可以得到近似的结果,但是S参数毕竟是一个矩阵,不是简单的标量运算那么简单,想用这种方法得到时延差则对你的DUT特性要求极高,也许校准可能是个比较好的选择。
测试线长度的选取,线宽及角度的设计,或是测试SMA的设计都很重要,换言之测试所得的S参数的质量要求比较高,并不是随意两组测试的S参数都可以,甚至要做很多组测试线再挑选。
不过楼上所说的比较线性的相位值我比较有疑问,据我的经验,哪怕回损过大插损的相位也是很线性的。但失真倒是有可能的,由于编织布以及绕线等因素可以直接影响到相位失真,但这是可以设计中规避的。
并且所得的Dk\Df,还需要使用TRL校准进行反向验证,这很重要。
你可以自己再找一个烂一些的板子试试
好帖,过来学习一下!
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