首页 > 微波/射频 > RFIC设计学习交流 > 菜鸟求助:如何选择MOS管的L值

菜鸟求助:如何选择MOS管的L值

录入:edatop.com    阅读:

根据电路的性能需要(比如驱动能力的需要),一般可以计算出MOS管的宽长比(W/L),同时工艺文件中会给出MOS所允许使用的最小尺寸,但是模拟电路一般不会使用该最小尺寸,那么该如何选择合适的L值?在选择这个值的时候,除了考虑工艺限制以外,还要考虑哪些因素?

举例:一个驱动电路,需要输出2mA的电流,经计算W/L=50,工艺的最小尺寸L=100nm,这个时候该如何选择L的值?或者还需要哪些条件才能确定该值?

PS:在计算该值时,工作电压起有什么影响?

请各位大侠能给我一个详细的说明,或者推荐相关的书籍资料。

不胜感激!



   这个牵扯到很多因素。要输出电阻大,选择长L;要噪声小,选择长L;要失配小,选择长L;速度要快,选择短L;要leakage小,选择长L;要线性度好,选择长L;要面积小,选择短L;总之,我们需要small feature size technology,但我们讨厌small feature size transistors



    多谢指导!
    还想请教一下:MOS管的L值对器件的工作寿命影响大吗?还有工作电压也会影响这个值得选择吗?另外在IO电路中,对MOS管的选择有什么特殊要求没有?



   不好意思,这个就要专业人士回答了。我没做过IO



    多谢多谢!以后还会向您请教,请多多帮忙!

申明:网友回复良莠不齐,仅供参考。如需专业解答,请学习本站推出的微波射频专业培训课程

上一篇:关于使用Cadence Spectre仿真遇到的问题
下一篇:bandgap中电阻的选取?

射频和天线工程师培训课程详情>>

  网站地图