求助射频大功率输出端的ESD保护问题
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各位大侠，我用TSMC018um工艺做射频放大器，由于是电感电容并联谐振输出，所以输出端的电压摆幅可以从0.5到3.2V，现在需要对输出端做ESD保护。
但是通常的二极管ESD保护方法在输出高于1.8V的时候ESD保护二极管会导通，导致电压输出电压摆幅只能到2.7V左右。
请路过的各位大侠指点一二！
但是通常的二极管ESD保护方法在输出高于1.8V的时候ESD保护二极管会导通，导致电压输出电压摆幅只能到2.7V左右。
请路过的各位大侠指点一二！
最简单的办法，串联几个diode，当然会牺牲esd效果
采用positive and negative stack NMOS的击穿结构
即：正向二极管(MOSFET) 串联一个反向二极管(MOSFET)的结构，可避免这个问题；
缺点:Vt1与被保护器件的耐压，需要考虑
重视射频性能的话，还是串二极管比较保险，重视esd而射频性能有余量的话，用一个mos管就能解决了
谢谢！ stacked NMOS，原来早有人做了研究啊。
在EETOP上找了些关于这方面的资料：http://bbs.eetop.cn/thread-94776-1-1.html
申明：网友回复良莠不齐，仅供参考。如需专业解答，请学习本站推出的微波射频专业培训课程。
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