手算与仿真的差距多大可以接受？
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用 tsmc bsim3v3 0.6um cmos 模型 ，低频应用，手工计算 和 仿真的结果 对比，差异多大是正常的、可接受的?
10%? 20% 或 更大?
亚微米级，Id 和 Vgs 已经不成 平方关系，，还是用
Id=1/2CoxUnW/L(Vgs-Vth)(Vgs-Vth)*(1+lambda*Vds). 计算吗?
还有别的 计算方法 吗?
谢谢！
10%? 20% 或 更大?
亚微米级，Id 和 Vgs 已经不成 平方关系，，还是用
Id=1/2CoxUnW/L(Vgs-Vth)(Vgs-Vth)*(1+lambda*Vds). 计算吗?
还有别的 计算方法 吗?
谢谢！
有别的方程。但很复杂了，况且很复杂的方程与器件联系很紧密了。
jjh197111
你是说 ，电脑仿真用的方程?那个的确长的要si。
先用仿真得出一些参考值，然后就能够得到比较精确的结果了
差不多20%，仿阵调整很重要
我今天手算了下，和spectre输出的MOS饱和区电流，数值上差了30%左右，郁闷死了
差不多就okay吧，反正还要调整的。
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