关于三极管击穿spice仿真

本人在仿真齐纳二极管的稳压特性时。采用将三极管发基极B和集电极C短接的方式作为二极管，当电源电源从0扫到100V时，反向偏置的二极管仍然没有击穿，不知道为什么?设置没有问题，难道是模型问题?以下是BJT hspice模型：
.model npn5 npn
+IS       = 4.8E-17         BF       = 42.5             NF       = 1.0427         
+VAF      = 267.5915        IKF      = 1.52E-03        ISE      = 4.22E-15        
+NE       = 3.0              BR       = 0.028            NR       = 1.0846         
+VAR      = 10.0            IKR      = 1.5              ISC      = 1.0E-17        
+NC       = 1.5              RB       = 160.0            IRB      = 0.75            
+RBM      = 9.993           RE       = 1.5              RC       = 7.5            
+XTB      = 2.36            XTI      = 1.0              EG       = 1.166           
+CJE      = 2.6E-14            VJE      = 0.658              MJE      = 0.323            
+TF       = 1.0E-10         XTF      = 1.0              VTF      = 10.0            
+ITF      = 0.1              CJC      = 1E-13           VJC      = 0.7            
+MJC      = 0.5              XCJC     = 0.5              FC       = 0.75            
+CJS      = 0.0   VJS      = 0.75             MJS      = 0.5            
+TR       = 0.0   PTF      = 0.0    KF       = 0.0
+AF       = 1.0              CBCP     = 0                CBEP     = 0               
+CCSP     = 0                TREF     = 25.0

貌似BJT的model里都没有各个结的反偏击穿电压这项参数,反正我是没见过

hspice中 npn模型中就没有cb极击穿电压这个参数，所以不能仿真出这个特性，关于这个问题我以前和synopsys公司确认过。

用相同结构的二极管替换掉仿真吧，三极管构成的二极管特性在模型里仿真不出来的！

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