0.18um工艺下 如何人为的增加Vth
录入：edatop.com 阅读：
设计一个电路 需要用到同一工艺下 高压管HNT 和低压管NT 的Vth之间的差值来设计。
可实验室提供的rohm0.18UM的工艺 HNT的Vth只比NT的Vth高50mv。而我查看UMC的0.18um工艺 两者的Vth相差300mV。
所以想请教，在我现有的rohm0.18um工艺中，layout的时候，有什么办法可以人为的增大HNT的Vth么?
如果有的话，有没有办法 反测出这个HNT的Vth是多少呢?
先在此谢过了！
可实验室提供的rohm0.18UM的工艺 HNT的Vth只比NT的Vth高50mv。而我查看UMC的0.18um工艺 两者的Vth相差300mV。
所以想请教，在我现有的rohm0.18um工艺中，layout的时候，有什么办法可以人为的增大HNT的Vth么?
如果有的话，有没有办法 反测出这个HNT的Vth是多少呢?
先在此谢过了！
衬偏。
不过波动大，不知道是否实用
use body effect ..but 不是好方法吧
衬偏不太好用。0.5V的衬底偏置也不过增大了100mv不到
B implant, another mask needed.
Vov = Vgs-Vth;
增加Vth 和 降低Vgs有相同的效果。
申明：网友回复良莠不齐，仅供参考。如需专业解答，请学习本站推出的微波射频专业培训课程。
上一篇：关于PLL设计中的差分输入时钟
下一篇：有人看過Integrated Power Devices and TCAD Simulation 要150美金的書
