急！求大神支招！带隙基准电压源PSR非正常原因
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本人本科毕业设计，做得是一个低功耗的带隙基准电压源。如图所示
设计采用低压共源共栅电流镜，在每个支路上采用PMOS和NMOS共源共栅结构，通过两条支路上的电阻来产生适当的压降，使所有管子工作在饱和区；并且采用共源共栅结构，代替传统的运放，钳位三极管的发射极。在调试结果正常，输出基准电压的温漂为0.3mv的情况下，
测试输出的PSR发现与理想结果不一致，
实际结果
理论输出结果
有哪位大神做过类似的，并且知道原因的么?（使用smic.18工艺，电源电压1.8V 每条支路工作电流在1u左右）感谢交流与指点！
设计采用低压共源共栅电流镜，在每个支路上采用PMOS和NMOS共源共栅结构，通过两条支路上的电阻来产生适当的压降，使所有管子工作在饱和区；并且采用共源共栅结构，代替传统的运放，钳位三极管的发射极。在调试结果正常，输出基准电压的温漂为0.3mv的情况下，测试输出的PSR发现与理想结果不一致，
实际结果
理论输出结果有哪位大神做过类似的，并且知道原因的么?（使用smic.18工艺，电源电压1.8V 每条支路工作电流在1u左右）感谢交流与指点！
自顶！
cascode各级工作点是否正确?vdsat是否足够?
反馈环路是正反馈?有deltaVbe那边，应该是PMOS二极管连接吧?
另外，电路中没有看到启动电路；
图容量太大了！转换成jpeg，但是画质不高
申明：网友回复良莠不齐，仅供参考。如需专业解答，请学习本站推出的微波射频专业培训课程。
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