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CST微波工作室的TDR仿真介绍

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在后处理中的1D Results中选择TDR from Time Signals 或 TDR from S-Parameter ,如下图所示,前者是基于激励信号来求,后者是基于S参数来求。

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TDR 主要是依据端口的反射信号来计算沿着TEM 或者相似结构的阻抗特性;在测量当中,TDR 是深入结构内部、定位非连续点的唯一方法;典型的 DR 应用是拥有最小反射损耗的TEM 结构比如连接器或者IC Package;既然TDR脉冲必须是短脉冲(为了确定空间的不连续点),因此它的带宽非常宽,CST MWS的时域求解器非常适合TDR求解。

TDR可以有两种激励方式:1)阶越信号(step time signal) 2) 高斯信号(Gaussian time signal)。模版自动识别信号类型,并且在1)和2)之间切换计算。

1) 阶越信号

上升的矩形脉冲是TDR 的典型激励。但是它存在一定的缺点,能量不衰减(时间信号永远不停止),同时由于激励频谱中的零幅度,导致一些频域数据比如S参数中会出现一些“未定义的频率”。用高斯信号激励就不会出现以上两个。因此推荐使用方法 2)。

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其中 Z(t)t是TDR阻抗, Zo 是端口的传输线阻抗,i 是输入阶越信号的幅度,O(t)是反射信号。 

注意:为了在时间和空间上用离散的方法求解激励的最高频率,您最好选择最高频率的上限为1/Trise

下图是一个TDR的例子: 

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