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揭秘“中国芯”展讯转身回国内幕：资本操作？
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2011年1月，展讯发布了全球首款40nm（纳米）商用的多模基带芯片SC8800G，这意味着国内芯片设计企业不用再靠价格战来赢得市场，靠的是技术。展讯40纳米芯片研发成功是中国半导体行业第一次领先国际竞争对手，中国企业跻身世界先进半导体设计公司行列的一次努力。在美国硅谷屡屡上演的创新公司"以小博大"的故事，被这个中国色彩浓厚的芯片公司重新演绎，样本意义不言而喻。
按照芯片设计的正常逻辑，工艺升级遵循的节点一般是180纳米（这也是展讯芯片工艺的起点）、150纳米、90纳米、65纳米、55纳米、45纳米……而每个节点按照正常的开发、量产、成熟时间，大致需要2－3年。展讯冒着"生命危险"直接从180纳米跳跃至40纳米，不仅让展讯从技术层面鱼跃至竞争对手之前，更让TD芯片技术走到了其他3G标准之前。"展讯生产的40nm芯片在整个3G市场都是领先的。"业内分析人士强调。
中国半导体行业协会常务副理事长许金寿指出："这是我国集成电路产业实现重大技术突破和跨越式发展的重要标志。"
2011年9月，三星GALAXY S 和GALAXY S 智能手机相继采用了展讯的TD-SCDMA芯片；2012年11月，其单芯片多模TD-LTE调制解调器SC9610被海信数据卡采用。产品线的扩充及广泛应用表明展讯的芯片正在被国际厂商认同，对于产品来说，有市场才是最重要的。
2013年7月，展讯宣布首款WCDMA基带芯片-SC7701B实现大规模量产。包括三星在内的客户采用该款芯片，并销往拉丁美洲等新兴市场。这是展讯继TD-SCDMA标准后对国际3G标准技术开发的又一个里程碑，而这也成功地填补了中国芯片公司在WCDMA标准的半导体设计领域的空白。
目前，3G战场上的硝烟一直延续到4G战场上。目前的LTE技术，也就是4G技术，分为两种，一种是由WCDMA演进的FDDLTE，另一种则是由TD-SCDMA演进的TD-LTE。在业内人士看来，真正的大考是即将到来的4G。
2013年12月4日，中国发放4G牌照。展讯清楚地意识到，4G是一场必须赢的战争，欧美等芯片巨头希望通过4G重新占领中国市场。数据显示，中国移动2013年度采购的TD-LTE终端芯片，超过60%采用的是高通芯片。这对国内芯片厂商和业界而言，显然已造成不小的压力。展讯回归，可以借助中国的资本和市场，加大对技术研发的投入，同时研究市场需求，开发多模多频LTE芯片产品，并进一步扩大市场份额。
