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高通Gobi LTE芯片 “进化史”
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高通Gobi第二代LTE芯片包括GobiMDM9x15调制解调器，支持LTE（FDD和TDD）、HSPA+、双载波HSPA+、CDMA20001xEV-DO版本A、版本B和TD-SCDMA。这些芯片组采用28纳米节点技术制造，与上一代LTE解决方案相比，MDM9x15芯片组功耗减少30%，印制电路板面积缩小30%，从而使终端外形更小更薄。与此同时，这款多模芯片组支持LTETDD与DC-HSDPA网络之间的无缝连接，使终端可以在本地或全球范围内与最高速的3G或4G/LTE网络实现连接，集成MDM9x15的SoC包括骁龙S4MSM8960等。通过MDM9x15芯片组，移动宽带路由器的作用得到充分发挥，支持最多10部终端通过Wi-Fi共享3G/4G网络。
2012年11月高通公司的合作伙伴开始拿到第三代高通GobiLTE芯片的样品，MDM9225和MDM9625是首批搭载全新LTE和HSPA+调制解调器的芯片，与其前代产品相比运行速度更快，功耗更低。
高通第三代4G LTE调制解调器
频段不统一是全球LTE终端设计的最大障碍，目前全球共有40余种不同频段。而多模多频是高通推出的LTE芯片的重要优势，其产品支持LTE/3G/2G各种蜂窝通信制式，从而有效推动LTE在全球各地的推出。高通也是首家推出支持载波聚合的LTE-A芯片组的企业。
Gobi第三代LTE芯片包括GobiMDM9x25调制解调器，同时支持LTE增强型和HSPA+版本10，这两款芯片组将业界唯一可整合7种不同无线电接入模式的调制解调器集成到了一款单基带芯片上，其中包括：CDMA2000、GSM/EDGE、WCDMA、TD-SCDMA以及LTE。这使得OEM厂商可以设计出能够在全球各地日益多样化的无线电网络上部署和配置的各种移动终端。MDM9x25芯片组是首批支持LTE载波聚合技术的真正LTECategory4的芯片组，数据传输速率高达150Mbps。
搭载第三代4G平台的三星S4
美国高通公司第三代LTE多模芯片组已经开始商用，在第三代平台中同时集成了LTETDD、FDD以及3G多模。目前正在出货的所有LTE芯片全部支持LTEFDD、TDD和3G多模。值得一提的是高通的第三代产品已经规模性商用，而其他提供商还在推出他们的首款LTE产品。
在机型方面三星的GalaxyS4LTE-A采用的骁龙800处理器就继承了高通第三代4GLTE调制解调器，支持LTE-A/WCDMA/GSM，采用LTE载波聚合技术，该技术可将LTE数据传输速率提升1倍，最高达150Mbps。另外高端机型还包括三星GalaxyNote3、索尼XperiaZUltraXL39h、索尼XperiaZ1、LGOptimusG2、宏碁LiquidS2、小米3等。同样在针对中低端大众市场的骁龙400系列MSM8930处理器也集成了MDM9x25调制解调器。
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