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PNP三极管饱和问题
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MTK平台脉冲充电电路，其中用了一个N沟道的CMOS管和PNP三极管，进入恒流充电阶段，量到 Ve = 4.9,Vb = 3.0,Vc = 4.0。按照之间书上的理解，三极管在工作在放大状态是发射结正偏，集电结反偏。我认为应该是处于饱和状态，也就是集电结、发射结都正偏，但是这样理解就解释不通，处于饱和状态电流 Ic 就不止受基极电流影响了。
下图是PNP三极管的一些参数，Vce(sat)是不是代表 Vce大于这个值就是进入放大状态？
下图是PNP三极管的一些参数，Vce(sat)是不是代表 Vce大于这个值就是进入放大状态？
正准备测这个电路呢，一模一样。莫非。
MTK的脉冲充电电流捏。
这画的难道不是 PNP 吗
是PNP，写错了。
Ve = 4.9,Vb = 3.0,Vc = 4.0 这个参数能工作在放大状态？
帮顶。
好冷清，都没人来解答？
是这个电路吗？
是这个电路吗？
我测试的结果是VE=4.7,VB=4.0,VC=3.8,满足发射结正偏，集电结反偏，处于放大状态。
在预充电阶段和恒压充电阶段是处于放大状态，在恒流阶段，充几秒停1秒的时候三极管的电压就是我量出来的值。
帮顶。
牛逼
帮顶。
没错，是这个电路。BD恒流充电阶段测的数据是多少
你用示波器点一下MOS G极和BJT C极
gjhf yhndfgh fdgds
楼主测得数据VB
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