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成本低于1美元　2012年SSD取代DRAM

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    随着东芝(Toshiba)、SanDisk与三星(Samsung)竞相导入20奈米(nm)制程，储存型快闪(NAND Flash)记忆体价格已下探至每GB达1.1美元，预期至2012年将跌至1美元以下，届时，固态硬碟(SSD)市场需求将会首度超越动态随机存取记忆体(DRAM)。

    Gartner研究总监王端表示，NAND Flash业者导入更先进奈米制程已势在必行，否则将逐步丧失市场竞争力，而惨遭淘汰。
    市场研究机构Gartner研究总监王端表示，三星、海力士(Hynix)和尔必达(Elpida)旗下的DRAM或NAND Flash皆已朝25奈米技术迈进，因此价格竞争将更趋激烈，导致获利幅度变小；目前DRAM价格已下杀至每GB达0.65美元；另一方面，东芝、SanDisk及三星已纷纷迈入20奈米制程，预估2012年NAND Flash价格将不及1美元，进而促使SSD正式取代DRAM。
    Gartner研究副总裁Bryan Lewis分析，DRAM产业受个人电脑(PC)需求减少和价跌的冲击甚深， 2011年营收将衰退26.6%；NAND Flash和特定应用积体电路(ASIC)在智慧型手机和iPad热销的带动下，2011年市场规模急速增长，年成长率约达20%。
    拜平板装置(Tablet Device)、智慧型手机及固态硬碟(SSD)强劲需求所赐，2011年NAND Flash成长快速，王端认为，未来数年，NAND Flash的应用版图将大于DRAM，因此未来DRAM产业每年营收将减少2%，然NAND Flash的营收年增长率将可达11%。
    有鉴于NAND Flash前景可期，激励NAND Flash制造商加码投资，根据Gartner预估，2011年NAND Flash资本支出已高于DRAM，逼近100亿美元，往后数年投资差距将会持续拉大。
    尽管现阶段DRAM整体产业较为悲观，年复合成长率调降达2%，然对于行动(Mobile)DRAM的需求仍在，预计未来DRAM供应商将会把投资重心放在Mobile DRAM。王端指出，Mobile DRAM制程与DRAM相似，惟设计方法迥异。