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关于P-mosfet的一些疑问
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从很多资料上看见关于P-mosfet管子的Vgs(th)<0,当Vgs小于Vgs（th）时管子导通，也就是说如果在s极加3v电压，g极应该给低电平才能使管子导通，但是在实际的一些应用中，却往往相反，下图就是一些硬件工程师的图纸，有点不理解，还请资深工程师指点。
g极SD_TRL端是接GPIO(3V),VDDIO也为3V，这样Vgs为零，管子怎么会打开呢？
!!!!!!!!!!!!!!!!
怎么会相反呢？兄弟再把MOSFET的特性再温习一下！
其实楼主说的没错啊，SI1305DL，是P沟道增强型MOSFET，VGS〈VGS（th）〈0，管子导通；要使管子工作，是需要将G极拉低，这样S，D极才具有导电沟道；因此，需要管子工作的时候，GPIO端给一个低电平，管子导通。这个电阻可以去掉。
电阻是为了保证稳定性，不需要去掉，这个电路可以稳定工作的前提是，VDDIO的电平和SD_TRL的电平一样，或者差别很小，假定都为2.8V
平常，G，S电压差为0，当G级为低电平时，VGS为-2.8V(假定），则小于VGS（th）〈0，所以导通，楼主不会没学过模拟电路吧
我们也用这个管子，在电路上没有加这个电阻，出现过一个非常奇怪的问题，软件上给这个管子G极一个高电平（3V），注意：是一直为高；S极接Vmem，D极接VSD，当插入SD卡播放音乐时，没有问题，量S,G，D端都是3V,但是只要手机LCM背光熄灭后来电（来电声音为SD卡中的MP3音乐），就会显示SD卡初始化失败，再也无法播放MP3了，原因：来电瞬间VSD电压会有瞬间的下降至1V左右；后来让软件将G极改成低后就OK了，问题是：在G极为高时怎么D极还会有3V电压？
还能够连续给SD卡供电播放音乐。
猜测一下：G为高，D端电压是关断后的残压（或者其他GPIO漏电流），此时SD卡功耗非常低，电压不消失，但是带负载能力非常小，可以通过加一个负载测试看电压是否消失。
只能说路过
kerry550
完全正确。还要主义io电压和VDDIO压差。选择这个mosfet和2者压差有关
学习下
