如何由MOS管的IdVd和IdVg特性曲线得到衬底掺杂源漏掺杂等工艺参数
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我现在有实测的单管转移输出曲线数据，想要得到衬底掺杂等工艺参数，请问有什么办法啊，
需要利用什么公式，要用什么软件啊?
希望大家多多指教。
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very good
理论上可以得到，实际上不可能做到。
要想得到，需要满足以下条件，要知道做这个MOS的工艺流程，因为各种工艺流程如热过程都会影响掺杂分布。
而如果能得到process流程，里面已经有掺杂条件了。
所以，这就是一个悖论，不可能得到的。
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