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2015年DRAM产业五大趋势预测
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(4) 20nm成为主战场，然而资本支出增加将让制程转进趋缓
韩系DRAM厂25nm制程在2014年下半年已迈入成熟期，无论良率与投片规模都成为DRAM主流规格。至于20nm制程，三星已进入验证阶段，SK海力士预计在明年第二季初进入市场；相较之下，美光(Micron)目前规划只有华亚科才有20nm制程的标准型记忆体，转进进度较两大韩厂落后，目标2015年底达到80K投片量。
DRAMeXchange表示，由于进入20nm制程需要更多的设备来生产，意味着需要更多的资本支出，然而在获利导向下，各厂20nm制程的转进比重将会趋缓。
(5) 2015年年底伺服器用DDR4市占有望突破50%大关
在英特尔(Intel)强势主导与DRAM厂的全力配合下，DDR4记忆体将在伺服器领域率先切入。郭祚荣表示，伺服器记忆体除了稳定性的要求外，近期更着墨于低电压与速度兼顾。根据JEDEC的规范，DDR4电压值仅有1.2V，未来速度更可高达3200Mhz。而价格部分也正与伺服器用DDR3逐步贴近，DRAMeXchange预计DDR4最快于2015年底取代DDR3，正式成为伺服器市场记忆体主流。
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