WCDMA EVM差该怎么办？

录入：edatop.com 点击：

ＲＴ
谢谢！

什么平台？

批次问题?还是研发问题??
提SR是王道

楼主都没把问题说清楚,是什么平台,差到什么程度?

真是发现我们中国的很多工程师初级到连问问体都不会问，大家都在说中国的技术怎样怎样不如别人，在这里可以窥见一斑，我们自己对技术一点的渴求和探索的激情都没有，问的问题比门外汉还要外行。在EDATOP上看到好多这样的提问。我觉得大家既然为了追求技术的提升，问题的解决，这里真是要疾呼让我们工程师对技术多一份认真多一份追求。

I/Q Mismatch会劣化EVM，所以Layout时
要注意GND要包好
而因为IQ讯号多半走差分形式

所以要尽量等长等间距间距越小越好
另外，WCDMA对于输出Power控制很严格，
因此会以PDET与Coupler，去侦测PA输出端的功率是否正确，
因此若Coupler的Trace未做阻抗控制，或是受到其他噪声干扰，
会影响功率侦测的精确度，进而影响振幅误差，导致EVM变差

所以Layout时，PDET最好走内层，用GND包好，尤其是MMPA

而TXSAW的Group Delay若过大，也会使EVM变差。
RX的SAW也是一样， Group Delay过大会影响
解调结果
由于PA是主要的非线性贡献者，
若其输出功率的平坦度不够，会引起AM-AM失真，
进而导致EVM变差，必须透过Load-pull的Finetune来改善

若Load-pull已整个Band都收敛在50奥姆，但其EVM依然很差时，
可试着调校PA 输入端的Matching ，
因为PA输入端的Matching，
其实也是DA(Driver Amplifier)的Load-pull，
因此这部分的Load-pull若没调校好，
会使DA输出功率的平坦度不够，导致在PA输入端，
EVM已偏高的情况发生，再加上PA是主要的非线性贡献者，
如此便会导致EVM更差

另外，若PA输入端的Matching未收敛至50奥姆，
则表示会有功率反射，进而干扰VCO，
导致EVM变差，因此若EVM在PA输入端就已偏高，
则可尝试调校PA输入端的Matching

其他详细原理可参照

在此就不再赘述