- 易迪拓培训,专注于微波、射频、天线设计工程师的培养
高电源抑制比性能的线性稳压器
录入：edatop.com 点击：
下列表达式用于去归一化图8a中的值：
针对电源应用，选择的实际源阻抗为RACTUAL=0.1Ω。如果C2固定为1μF(AS1358-9)，那么必须反复选择w和a直到接近商用元件值为止。通带损耗不是主要问题，而额外的交流衰减在这个应用中非常重要。
假设C3=1μF，F-3dB=1MHz(Calc 1.082)，RACTUAL=0.1Ω，那么C1=1.5μF(Calc 1.47)，L2=38nH(D=0.4，a=6.82dB)。合适的线圈可从Coilcraft公司的Mini Spring系列(B09TJLC)或Midi Spring系列(1812SMS-39NJLC)这类中挑选。只要陶瓷电容(C1&C3)的寄生电感小于1nH，滤波器就有足够的衰减值。
本文小结
AS1358-9 LDO具有良好的噪声和电源抑制性能。只要在输入端增加一个简单的LC网络，即可实现额外的高频电源抑制比性能。
作者：Andy Fewster 来源：电子工程专辑
上一篇：一个IP分布式小型呼叫中心实例
下一篇：紧急广播技术全面解析
